初創(chuàng)公司Crossbar近日發(fā)布了一款全新的ReRAM存儲(chǔ)芯片。ReRAM一直被認(rèn)為是未來(lái)閃存的替代方案，前者能在單塊芯片上存儲(chǔ)1T數(shù)據(jù)，存取速率比后者快20倍。如果這類芯片能夠投入量產(chǎn)，將極大地沖擊全球600億美金的閃存市場(chǎng)。
在很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，閃存一直作為電子工業(yè)非常重要的基石——它的應(yīng)用從iPhone、平板到數(shù)碼相機(jī)等各式各類的數(shù)碼電子——支撐起全球估值1.1萬(wàn)億美金的消費(fèi)市場(chǎng)。
但Crossbar表示ReRAM（又稱RRAM）的出現(xiàn)將引發(fā)移動(dòng)、消費(fèi)電子和聯(lián)網(wǎng)設(shè)備的一系列創(chuàng)新。也正是因?yàn)檫@樣的潛力，Crossbar目前已經(jīng)從Kleiner Perkins Caufield & Byers，Artiman Ventures和Northern Light等多家VC募集到2500萬(wàn)美金的投資。
Crossbar研發(fā)的芯片大致能在單片的規(guī)模上存下250小時(shí)的高清視頻，并且芯片規(guī)格要小于閃存。其他的數(shù)據(jù)顯示：ReRAM存儲(chǔ)芯片的能耗是閃存的1/20，數(shù)據(jù)擦寫(xiě)上限是后者的10倍。
ReRAM的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)更類似于改變材料本身的電阻而非直接存儲(chǔ)電荷。當(dāng)你對(duì)ReRAM的材料施加電流時(shí)，材料本身的電阻會(huì)發(fā)生改變——而電阻的狀態(tài)可以作為“0”或者“1”而被讀取。目前關(guān)于ReRAM的研究多數(shù)集中在材料的探索和電阻狀態(tài)的讀取上。
George Minassian，Crossbar的CEO表示他們的設(shè)計(jì)特別之處在于，已經(jīng)可以預(yù)見(jiàn)3年之內(nèi)就會(huì)投入量產(chǎn)——他表示這項(xiàng)技術(shù)的量產(chǎn)并不困難。
不過(guò)技術(shù)的新老交替面臨的問(wèn)題總是要有損既得利益者——尤其是當(dāng)現(xiàn)有的技術(shù)達(dá)到了非常大的經(jīng)濟(jì)規(guī)模。閃存芯片的處理能力也許沒(méi)有這么快，但如果芯片商們投入更多的資金和精力在現(xiàn)有設(shè)計(jì)的優(yōu)化上，還是有可能將ReRAM絞殺在試驗(yàn)階段的；同時(shí)量產(chǎn)時(shí)ReRAM的價(jià)格也是一個(gè)重要的因素。
