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　　目前市面上有很多全閃存存儲陣列，所有人都震驚于它們的速度和容量，而這樣的性能參數還在層出不窮。

　　如今全閃存存儲陣列主要有四種類型（當然這在幾個月后也可能發生變化），每一種在市面上都有自己的定位。這四種類型如下：

　　傳統存儲陣列

　　在處理支持固態技術以獲得最佳性能所必需的性能特性和管理方面，傳統存儲陣列的控制器一直沒有改變。它們支持HDD規格的SSD，并且將SSD僅當作HDD。這意味著在寫臨界（write cliff）真的出現的時候，性能下降將更加嚴重。

　　這些傳統存儲陣列解決方案可以為性能提升提供較低的響應時間，但是性能的瓶頸很快發生在存儲控制器。這些陣列通常顯示出1倍于使用HDD的同樣陣列的性能（視工作負載而定），延時略低于1毫秒。

　　注：什么是寫臨界（write cliff）？當閃存驅動器的所有單元都至少被寫入一次后，下一個寫請求到達設備的時候，讀、擦除、寫（read-erase-write）操作必將發生，也將造成性能下降。當標注在曲線上的時候，性能的急速下降看上去像是一道懸崖。

　　重新構建的傳統存儲陣列

　　一些專門設計用于支持復制、重復數據刪除和自動精簡配置等特性的傳統存儲控制器廠商重新構建其控制器并且定制ASICs。這使控制器能夠支持固態技術特有的行為和性能，同時繼續向客戶提供已經習慣的高級特性。

　　與使用HDD的同陣列相比，這些陣列的平均性能（視工作負載而定）有接近5倍的性能提升，延時大約500至800微秒。將存儲控制器重新構建用作全閃存陣列的產品包括HP公司的 StoreServ 7450和NetApp公司的EF550閃存陣列。

　　定制閃存模塊設計

　　有些廠商通過創建定制的閃存模塊設計來處理元數據管理和垃圾收集之類的閃存技術所特有的整理工作，使這種重新構建的傳統存儲陣列更進一步。這些定制設計的閃存模塊內部的通訊基于PCIe。這種陣列設計是重新構建的存儲控制器高性能和高級特性的完美平衡。但是折衷在于：這是一種專有設計，商品SSD不能替換壞的設備。

　　平均性能提升5-10倍（使用超過90%的容量）于使用HDD的陣列，延時大約500微秒，視工作負載而定。

　　這種全閃存陣列出自日立數據系統（Hitachi Data Systems，HDS）。這種設計的有趣之處在于其靈活支持包括SAN和NAS解決方案等各種配置的統一存儲系統（unified storage family）。

　　構建的全閃存陣列

　　這些陣列專門為閃存技術從頭開始構建。它們對影響垃圾收集的元數據管理和緩沖算法尤其積極。這些陣列目前僅提供拷貝技術等高級特性，但有些廠商提供聯機的數據縮減和存儲效率技術。廠商目前提供橫向擴展架構而非縱向擴展架構，對內存數據庫更具吸引力。通常，性能（視工作負載而定）約提升10倍（使用超過90%的容量），延時低至200微秒。專門定制存儲陣列作為內置重復數據刪除、壓縮以及自動精簡配置等高級數據縮減特性的全閃存陣列廠商包括：Pure Storage、EMC XtremIO和Solid Fire。Solid Fire也實施橫向擴展架構。

　　全閃存存儲陣列不斷發展和成熟。在選擇全閃存陣列的時候，要仔細考慮存儲控制器是否現有的設計，是否為閃存重新構建，是否專門定制來處理閃存特有的行為和性能。