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隨著華為被斷供，讓很多人知道即使一家企業(yè)能設(shè)計出高端芯片，但其“存亡”依舊被臺積電和ASML控制，而臺積電和ASML均被美國控制。光刻機對制造芯片很關(guān)鍵，實際上光刻機對制造芯片僅占40％的工序，與光刻機同一樣，光刻膠也非常重要，很多人知道光刻機，卻不知道光刻膠，這是集成電路的一種重要材料，將光刻膠做涂層，就能在硅片表面刻蝕所需電路圖形，是光刻機的核心材料。

雖然我國是半導(dǎo)體生產(chǎn)大國，特別是液晶面板，但是都處于產(chǎn)業(yè)鏈下游，液晶面板用的光刻膠幾乎全是依賴進口，被島國幾家公司牢牢掌握。即使是國產(chǎn)標桿京東方也需要從海外采購，自主研發(fā)這個太難了，目前我國最先進的是300多nm。而現(xiàn)在，南大光電ARF光刻膠可用于7nm，這是國產(chǎn)半導(dǎo)體行業(yè)的又一次進步，打破了美日壟斷，也可以躋身一流市場。

首先帶來好消息的是上海微電子成功突破技術(shù)瓶頸，首臺國產(chǎn)28nm光刻機將在2021年量產(chǎn)交付，雖然與當前7nm工藝制程有4代左右的技術(shù)代差，但也可以滿足了除手機芯片以外的幾乎所有芯片的工藝制程要求，對于我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展還是具有里程碑式的意義。

更令人可喜的是在光刻技術(shù)的基礎(chǔ)理論上也取得了重大進展。武漢甘棕松團隊采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制，采用遠場光學(xué)的辦法，光刻出最小9nm線寬的線段，實現(xiàn)了從超分辨成像到超衍射極限光刻制造的重大創(chuàng)新。所以，一旦將該技術(shù)運用到光刻機領(lǐng)域，那么我國實現(xiàn)在光刻機領(lǐng)域的彎道超車也是指日可待。

國產(chǎn)最先進光刻機企業(yè)微電子一旦突破高端水平，就可以將設(shè)備賣給中芯國際，最終美國控制的ASML和臺積電的壟斷優(yōu)勢即將消失。目前中芯國際也在不斷發(fā)力，都知道中芯國際最近動作頻繁，有了華為這個大客戶后，中芯的底氣足了很多，麒麟710A從臺積電手中拿下，現(xiàn)在7nm又有華為深度協(xié)助，而且回A上市募資234億元，國內(nèi)又戰(zhàn)略注資150億，促進中芯規(guī)模量產(chǎn)和先進制程研發(fā)。

排名世界第三的美國，半導(dǎo)體企業(yè)格羅方德耗資700億在成都建立公司，因為放棄7nm，轉(zhuǎn)而研發(fā)微電子和光電子芯片慘敗，市場份額也被國產(chǎn)代工廠壓縮，狼狽離開。其中國區(qū)副總裁宣布加入中芯國際，為先進制程業(yè)務(wù)接單。這是因為中芯的7nm馬上就要量產(chǎn)了，N+1的研發(fā)進程穩(wěn)定，已進入客戶導(dǎo)入及產(chǎn)品認證階段。格羅方德副總裁的加入，會推動芯片業(yè)務(wù)，回籠資金用于5nm和3nm的研發(fā)，中芯國際已經(jīng)開始加速追趕臺積電，使命重大。總之，隨著上海微電子和中芯國際的不斷突破，華為就不再擔(dān)心臺積電的斷供。